3nm芯片出货！三星电子在华城厂举行出货礼拜

集微网消息，今（25）日上午，LG在大韩民国大邱松山厂举行3nm闪存售出仪式，大韩民国新兴产业通商资源部长、LGDS行政部门高层领导Kye Hyun Kyung、高管和员工、客户和无晶圆厂高管等约100人参加了此次活动。

据韩联社引述，Kye Hyun Kyung在悼词中坚称，“LG凭借此次量产在OEM业务行政部门上取得了成功。GAA技术的早期整合成功，将成为FinFET晶体管达到技术极限时的从新替代品，是一项从无到有的商品创从新结果。”

据称，LG3nm闪存采用GAA晶体管结构上，与5nm闪存相比，3nm闪存可减小多达45%的功耗，同时提升23%的耐用性和减少16%的尺寸。

（校正/王云朗）